时间：2025/8/22 21:14:36
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FRA3G 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具有低导通电阻和良好的热性能，使其在各种工业和消费类电子设备中表现出色。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
FRA3G具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术，确保了优异的开关性能和稳定性。
其高电流承载能力使其适用于高功率密度的设计，如DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统。
此外，FRA3G具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。
封装方面，FRA3G采用TO-220封装，便于散热并适用于标准的PCB安装工艺，简化了设计和制造过程。
由于其出色的电气性能和坚固的封装设计，FRA3G在工业自动化、汽车电子、消费类电源等领域得到了广泛应用。
FRA3G主要用于各类电源转换系统，包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关和电机驱动器等。在汽车电子领域，它可用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）以及电池管理系统（BMS）。在工业设备中，FRA3G适用于变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等应用。此外，该MOSFET也常见于高功率LED照明驱动电路和智能电表等消费类电子产品中。
FDP100N30, IRF1405, STP100N3LLZ
