型号：YSO211PJ
　　封装形式：DIP-4
　　输入电流：1.6mA 至 20mA
　　输出电压：0V 至 30V
　　工作温度：-40℃ 至 +110℃
　　存储温度：-55℃ 至 +125℃
　　隔离电压：5300Vrms（最小值）
　　响应时间：1μs（最大值）
　　漏电流：1nA（最大值，@ Vout = 30V, Ta = 25℃）
　　上升时间：1.5μs（典型值）
　　下降时间：1.5μs（典型值）

YSO211PJ采用了先进的光耦合技术，其主要特点包括：
　　1. 高共模抑制比（CMR），有效防止外部干扰信号的影响。
　　2. 宽广的CTR（电流传输比）工作范围，确保在不同条件下都能保持稳定的性能。
　　3. 小型化封装设计，便于电路板布局和安装。
　　4. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
　　5. 超低功耗设计，非常适合对能耗敏感的应用环境。
　　6. 提供优异的电气隔离特性，可承受高达5300Vrms的隔离电压，增强了系统的安全性和可靠性。
　　7. 工作温度范围宽，适应多种恶劣环境下的使用需求。
　　8. 快速响应时间和低延迟特性，使得数据传输更加高效。

YSO211PJ广泛应用于各种需要电气隔离的场景，具体包括：
　　1. 工业自动化设备中的信号隔离。
　　2. 电源转换系统中的反馈信号隔离。
　　3. 医疗电子设备中患者与设备之间的安全隔离。
　　4. 可编程逻辑控制器（PLC）中的输入/输出接口隔离。
　　5. 数据采集系统中的多通道信号隔离。
　　6. 通信设备中的串口或网络接口隔离。
　　7. 汽车电子系统中的信号传输与隔离。
　　8. 光伏逆变器和其他新能源系统中的功率级隔离。

YSO211PJS, YSO211PJR, YSO211PJE