类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（Id）：5A
　　漏极-源极电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大）
　　功耗（Ptot）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-223

PM5S-S 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有多项显著的电气和物理特性。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）为 0.18Ω，这使得在导通状态下，器件的功率损耗极低，从而提高了整体系统的效率。其次，PM5S-S 的漏极电流能力为 5A，漏极-源极电压耐受能力为 60V，使其能够承受较高的电压和电流应力，适用于中等功率的应用场景。
　　此外，该器件的栅极-源极电压范围为 ±20V，具有较高的栅极耐压能力，能够在较宽的驱动电压范围内稳定工作。其快速开关特性也使得 PM5S-S 非常适合用于高频开关电路中，减少开关损耗并提高响应速度。
　　PM5S-S 采用 SOT-223 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，能够有效地将器件在工作过程中产生的热量散发出去，从而延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。由于其紧凑的封装尺寸，PM5S-S 也适用于空间受限的设计中。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和抗过载能力，在极端工作条件下仍能保持稳定的性能。它广泛应用于各种电子设备中，如笔记本电脑、移动电源、工业控制设备和消费类电子产品。

PM5S-S 的应用范围广泛，主要集中在需要高效功率管理和转换的领域。例如，它常用于 DC-DC 转换器中，作为主开关器件，负责将输入电压转换为所需的输出电压，适用于电源适配器、电池充电器和电源管理系统。
　　此外，PM5S-S 也适用于负载开关电路，用于控制电源的通断，保护系统免受过流和过压的影响。在便携式电子产品中，例如智能手机和平板电脑，PM5S-S 可以用于电池管理系统，实现高效的充放电控制。
　　在工业自动化设备中，PM5S-S 可以作为功率开关，用于控制电机、继电器和其他执行机构的工作状态。其快速开关能力和低导通电阻使其成为理想的功率控制器件。

PM6S-S, PM4S-S, FDN340P