CBW201209U601T是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率转换芯片,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电设备等应用领域。该芯片集成了先进的驱动电路和保护功能,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
CBW201209U601T采用小型化封装设计,能够有效减少系统体积和重量,同时提高功率密度。其独特的GaN晶体管架构支持高达650V的耐压,并且具备极低的导通电阻,非常适合需要高效率和快速开关的应用场景。
额定电压:650V
额定电流:9A
导通电阻:40mΩ
最大开关频率:3MHz
封装形式:QFN 8x8mm
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
1. 高效的氮化镓(GaN)场效应晶体管技术,确保更高的能量转换效率。
2. 内置自举二极管和栅极驱动器,简化外部电路设计。
3. 提供全面的保护功能,包括过流保护、短路保护和过温关断保护。
4. 支持超高开关频率,可显著减小磁性元件的体积和成本。
5. 具有较低的寄生电感和出色的热性能,适合高功率密度的设计需求。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
1. 开关电源(SMPS):
CBW201209U601T适用于笔记本电脑适配器、电视电源及工业电源等高频开关电源。
2. DC-DC转换器:
在汽车电子、通信基站和服务器电源中,作为高效同步整流或降压转换的核心组件。
3. 快速充电设备:
用于USB-PD充电器和无线快充模块,实现更小尺寸和更高效率。
4. LED驱动:
可在高亮度LED照明应用中提供稳定的电流输出。
CEW211210U701T, CFW181108U602R