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GRT1555C1H300JA02D 发布时间 时间:2025/7/17 22:03:45 查看 阅读:8

GRT1555C1H300JA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  此型号中的部分字母和数字代表了特定的参数和封装形式,例如'H300'通常表示最大耐压为300V,而'JA'则可能与封装类型相关。

参数

最大漏源电压:300V
  最大连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):0.18Ω
  栅极电荷:35nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-247

特性

GRT1555C1H300JA02D的主要特性包括:
  1. 低导通电阻,有助于减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 高开关速度,适用于高频应用场景,降低开关损耗。
  3. 良好的热性能,确保在高功率条件下稳定运行。
  4. 高耐压能力,适合高压环境下的电路设计。
  5. 可靠性高,经过严格的质量控制流程,适用于工业级和消费级应用。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - 用于高效能量转换,减少发热和能量损耗。
  2. DC-DC转换器:
   - 提供稳定的输出电压,满足各种负载需求。
  3. 电机驱动:
   - 控制电机的速度和方向,实现精确的运动控制。
  4. 工业自动化:
   - 在复杂的工业环境中提供可靠的电力传输和控制。
  5. 汽车电子:
   - 应用于车载充电器和其他汽车电子设备中。

替代型号

GRT1555C1H300JB02D, IRF840, STP15NF30

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GRT1555C1H300JA02D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.05564卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容30 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-