容量：256Mb
　　组织方式：32M x8/16M x16
　　接口类型：DDR4 SDRAM
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据传输速率：166MHz / 180MHz / 200MHz
　　数据预取：2n预取架构
　　刷新功能：自动刷新和自刷新模式
　　时钟频率：高达200MHz
　　数据宽度：x8/x16

W949D2BBAX7E 是一款高性能的 DDR4 SDRAM 芯片，具备宽电压范围（2.3V 至 3.6V）设计，使其适用于多种电源环境。该芯片采用 2n 预取架构，结合双倍数据速率技术，实现了高速数据传输，最高可达 200MHz 的时钟频率。其 TSOP 封装形式提供了良好的散热性能和空间利用率，适用于对空间要求较高的嵌入式系统。
　　此外，W949D2BBAX7E 支持自动刷新和自刷新模式，能够在不同工作状态下保持数据完整性，降低系统功耗。该芯片的工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，适合工业控制、通信设备和汽车电子等应用场景。
　　该芯片还具备低功耗特性，适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。其同步接口设计使得数据访问更加高效，提高了整体系统的性能表现。

W949D2BBAX7E 主要应用于需要高速存储和可靠性的电子设备中，如工业控制设备、通信模块、网络设备、嵌入式系统、便携式电子产品以及汽车电子控制系统等。其宽电压和宽温度范围的特性，使其特别适合用于对稳定性和可靠性要求较高的工业级和车载级应用。

W949D2BBAM7E, W949D2BBAG7E, W949D2BBAM6E