制造商：Samsung
　　产品系列：DDR2 SDRAM
　　存储容量：2Gbit
　　组织结构：256Meg x 16
　　工作电压：1.8V ± 0.1V
　　数据速率：800 Mbps (DDR2-800)
　　时钟频率：400 MHz
　　输入/输出类型：LVTTL
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大访问时间：6ns
　　刷新周期：64ms / 8192 rows
　　掉电模式：支持
　　自刷新模式：支持
　　突发长度：固定BL=4，可编程BC4/OCD
　　CAS等待延迟（CL）：4, 5, 6可选
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 1.0mm
　　是否无铅：是

K4S28323LF-HN75具备多项关键特性，使其成为中高端嵌入式系统中理想的内存解决方案。
　　首先，该芯片基于DDR2技术架构，采用双倍数据速率设计，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，显著提升了数据吞吐能力。其标称数据速率为800Mbps（即DDR2-800），可在400MHz系统时钟下实现高效的数据交互，满足视频处理、图像缓存及多任务并发操作的需求。其次，芯片内部采用256Meg x 16位的组织结构，总容量达2Gbit，既保证了足够的存储空间，又通过16位宽的数据总线降低了控制器接口复杂度，提升了系统集成效率。
　　该器件支持多种电源管理模式，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）以及部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh），可根据系统负载动态调整功耗状态，有效降低待机能耗。这对于便携式设备或长时间运行的工业控制系统尤为重要。同时，芯片具备温度补偿自刷新（TCSR）功能，能够根据环境温度变化调节刷新频率，在高温环境下仍保持数据完整性，避免因过度刷新导致的额外功耗。
　　K4S28323LF-HN75还集成了片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），可在读写过程中动态启用内部匹配阻抗，减少信号反射和噪声干扰，提高高速信号传输的稳定性。此外，其支持可编程CAS延迟（CL=4/5/6）、突发长度控制（BL=4）以及输出驱动强度调节等功能，增强了与不同主控平台的兼容性和时序匹配灵活性。
　　从可靠性角度看，该芯片工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适用于严苛工业环境。FBGA-90封装不仅具有优良的散热性能，还能有效抵抗机械应力和热循环带来的影响。所有这些特性共同构成了一个高性能、高稳定性且易于设计导入的存储解决方案。

K4S28323LF-HN75因其高带宽、低延迟和可靠的运行表现，被广泛应用于多个电子领域。
　　在消费类电子产品中，该芯片常见于高清机顶盒、智能电视、蓝光播放器等音视频设备中，用于缓存解码后的图像帧或临时存储操作系统运行数据。其DDR2-800的速度足以支撑1080p甚至更高分辨率的内容流畅播放，确保用户获得无缝的观看体验。
　　在网络通信设备方面，如路由器、交换机和网络附加存储（NAS）系统，K4S28323LF-HN75可用于包缓冲、路由表存储和协议处理任务。凭借其快速随机访问能力和稳定的多路并发性能，能够有效提升网络吞吐量和响应速度。
　　在工业自动化和安防监控系统中，该芯片常作为数字摄像头、DVR/NVR录像机的核心内存组件，负责实时采集并暂存多路视频流数据。其支持自刷新和温度补偿机制，保障了在无人值守或高温环境下长时间稳定运行。
　　此外，该芯片也适用于打印机、多功能一体机、POS终端等人机交互设备，用于加载用户界面、管理打印队列或执行图像渲染任务。由于其封装紧凑、功耗适中且供货稳定，已成为许多原厂设计制造商（OEM）在替代传统SDR SDRAM或低端DDR时的优选方案。即使面对 newer DDR3 或 LPDDR 技术的竞争，K4S28323LF-HN75仍在特定升级项目和成本敏感型应用中保有重要地位。

K4T28163QA-HC75
　　K4T28163QE-HC75
　　MT47H64M16HR-3:H
　　IS43TR16256A-8B