YSESD3Z15BT1G 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态过压事件的影响而设计。该器件采用 SOD-882 封装,具有超低电容和快速响应时间,非常适合高速数据线和射频应用。
其单向结构使其在保护信号完整性方面表现出色,同时能有效吸收大电流浪涌,确保系统稳定运行。
工作电压:15V
峰值脉冲电流:67A
最大反向工作电压:15.6V
击穿电压:16.4V
箝位电压:29V
结电容:0.4pF
响应时间:小于等于1ps
封装形式:SOD-882
YSESD3Z15BT1G 具有以下显著特点:
1. 超低结电容 (0.4pF),适用于高速信号线路。
2. 极快的响应时间 (<1ps),可迅速抑制瞬态过压。
3. 高度可靠的 ESD 保护能力,符合 IEC 61000-4-2 标准 (接触放电 ±15kV)。
4. 小型化封装 (SOD-882),节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 可承受高达 67A 的峰值脉冲电流,确保强健的浪涌防护性能。
YSESD3Z15BT1G 广泛应用于需要高可靠性及快速瞬态电压保护的领域:
1. USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort 等高速数据接口保护。
2. LTE 和 5G 射频前端保护。
3. 工业自动化设备中的通信端口保护。
4. 汽车电子系统中的 CAN/LIN 总线保护。
5. 移动设备如智能手机和平板电脑中的天线和传感器保护。
6. 医疗设备中对电磁干扰敏感的电路保护。
YSESD3Z15BT2G, YSESD3Z15CT1G