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ZVNL535A 发布时间 时间:2023/9/7 17:21:45 查看 阅读:265

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:40 欧姆 @ 100mA, 5V
漏极至源极电压(Vdss):350V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:90mA
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :70pF @ 25V
功率 - 最大:700mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:散装

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ZVNL535A参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压350 V
  • 闸/源击穿电压20 V
  • 漏极连续电流0.09 A
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-92-3
  • 下降时间7 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散700 mW
  • 上升时间7 ns
  • 典型关闭延迟时间16 ns