时间：2025/8/9 18:47:29
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YG971S6 是一款由 YG（永光半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。YG971S6 通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制和电源管理模块等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.2mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
功率耗散（PD）：250W
输入电容（Ciss）：约3000pF
开启阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
YG971S6 MOSFET 具备多项高性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于高电流应用。其次，该器件支持高达120A的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力。
此外，YG971S6 采用先进的沟槽式结构设计，提供优异的开关性能和热稳定性，有助于在高频开关应用中减少开关损耗。其±20V的栅极电压耐受能力增强了抗电压尖峰的能力，提高了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
封装方面，TO-263（D2PAK）是一种表面贴装封装形式，具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。同时，器件支持宽工作温度范围（-55°C至+175°C），可在高温环境下稳定运行。
YG971S6 还具备较强的短路耐受能力，适合在电机驱动和电源管理系统中使用，提升系统整体安全性和稳定性。
YG971S6 广泛应用于多个领域，包括但不限于：高效率DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、电源管理模块以及高功率便携式电子产品等。其优异的导通性能和高电流承载能力使其成为高性能电源解决方案的理想选择。
SiR178DP-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, IRF110N60M1, STP120N6F7
