类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：500mA（@25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：2A
　　导通电阻（RDS(on)）：< 0.6Ω（@VGS = 10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：< 0.8Ω（@VGS = 4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：12pF（@VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：8pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：1.5pF（@VDS=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

YG904C2采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，通过优化沟道设计与掺杂分布，在保证小尺寸的同时实现了较低的导通电阻与较高的载流能力。其核心优势之一是具备优异的动态性能，包括快速的开关响应时间和较低的栅极电荷（Qg），这使得它在高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器中表现突出，有效降低了开关损耗，提高了整体系统效率。
　　该器件具有稳定的阈值电压控制，确保在不同温度和负载条件下仍能可靠开启与关闭，避免误触发或导通不完全的问题。同时，由于采用了高质量的硅材料与钝化层工艺，YG904C2具备较强的抗静电能力（ESD）和耐压能力，能够在瞬态过压或浪涌环境下保持稳定运行，提升了系统的可靠性。
　　热性能方面，尽管封装体积较小，但其内部结构设计有利于热量从源极引脚传导至PCB，配合合理的布局布线可实现良好的散热效果。此外，器件的跨导（gm）较高，意味着在相同栅极电压下能够提供更大的漏极电流，增强了驱动能力。这些综合特性使其不仅适用于电池供电设备中的负载开关，也可用于LED驱动、继电器控制、信号切换等多种模拟与数字开关场景。

YG904C2广泛应用于各类低电压、小电流的开关控制场合。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的负载开关或电池隔离电路；在DC-DC转换电路中作为同步整流管或高端/低端开关使用，提升转换效率；还可用于驱动小型直流电机、电磁阀或继电器等执行机构，实现微控制器对大电流负载的间接控制。
　　此外，由于其封装小巧且支持表面贴装工艺，非常适合高密度PCB布局需求，因此在智能家居设备、可穿戴设备、物联网终端节点等紧凑型电子产品中被大量采用。在工业控制领域，YG904C2可用于隔离数字信号、电平转换或I/O扩展电路中的开关元件。其良好的温度适应性和长期稳定性也使其适用于汽车电子中的非动力系统，如车用照明控制、传感器电源切换等环境较为严苛的应用场景。

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　　 "2N7002",
　　 "BSS138",
　　 "MMBF5457",
　　 "AO3400",
　　 "SI2302"
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