时间：2025/12/29 17:02:54
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YG862C08是一款由国内厂商设计和生产的电子元器件芯片，广泛应用于电源管理、功率控制以及工业自动化等领域。该芯片是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具备较高的导电性能和耐压能力，适合在中高功率应用中使用。
类型：功率MOSFET
封装形式：TO-220
最大漏源电压（Vds）：800V
最大漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：≤1.2Ω
工作温度范围：-55℃~150℃
栅极阈值电压：2V~4V
功率耗散（Pd）：50W
YG862C08具有出色的电气性能和稳定性，其高耐压能力（800V）使其适用于高压电源管理场景。此外，该器件的导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高整体效率。TO-220封装设计提供了良好的散热性能，确保在高电流工作条件下也能保持稳定的运行状态。
该芯片还具备较高的抗干扰能力，能够在复杂的工业环境中可靠运行。其栅极阈值电压范围适中（2V~4V），兼容多种控制电路设计，适用于开关电源、电机控制、LED驱动以及家电控制等应用场景。
另外，YG862C08的结构设计优化了开关特性和热稳定性，使其在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的耐用性和长期可靠性。
YG862C08广泛应用于多种电子设备和系统中，包括但不限于开关电源、LED照明驱动、家电控制电路、工业自动化设备、电机驱动器以及功率因数校正（PFC）电路。其高耐压和较低导通电阻的特性使其成为高压功率控制领域的理想选择。
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"FQP8N80",
"IRF840",
"STP8NM80"
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