时间：2025/8/9 16:13:07
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YG835C03R是一款由UTC（Unisonic Technologies）生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等需要高电流能力和低导通电阻的场景。YG835C03R采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有优异的热稳定性和低开关损耗。其封装形式为TO-252（DPAK），便于在各种电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(ON)）：3.5mΩ（典型值）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
YG835C03R MOSFET的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(ON)），仅为3.5mΩ。这一特性使得器件在高电流应用中具有极低的导通损耗，从而提高系统效率并减少发热。此外，该器件采用了先进的沟槽式结构，优化了电场分布，从而增强了器件的可靠性和稳定性。
YG835C03R的额定漏极电流高达80A，能够在高功率负载条件下稳定工作，适用于高性能电源转换系统。其栅极驱动电压范围宽，通常在4.5V至20V之间，兼容多种驱动电路设计。该器件的热阻较低，确保在高功率运行时仍能保持良好的散热性能。
该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热能力，并且便于表面贴装，适用于自动化生产和高密度PCB布局。由于其优异的电气性能和机械特性，YG835C03R在工业控制、汽车电子、通信设备和消费类电子产品中均有广泛应用。
此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和过载保护功能，在异常工作条件下仍能保持较高的可靠性。其内部结构设计优化了寄生电容，降低了开关过程中的能量损耗，进一步提升了高频工作的性能。
YG835C03R广泛应用于多种电力电子系统中，主要包括以下几类：
1. **DC-DC转换器**：由于其低导通电阻和高电流能力，YG835C03R非常适合用于升压（Boost）和降压（Buck）转换器中作为主开关器件，提高转换效率。
2. **负载开关**：在电池供电设备中，该MOSFET可用于实现高效的负载开关控制，减少静态电流损耗，延长电池寿命。
3. **电机驱动电路**：在直流电机驱动或步进电机控制电路中，YG835C03R可作为功率开关使用，提供快速响应和稳定的输出。
4. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电控制电路中，确保电池组的安全运行。
5. **服务器和电源模块**：在高功率电源供应器、服务器电源系统中，该MOSFET用于提高系统效率和功率密度。
6. **汽车电子**：适用于车载充电器、电动工具、汽车音响功放等需要高可靠性的应用场景。
SiR862ADP, IPW60R045C6, FDD8880
