时间：2025/8/6 12:57:56
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IXTN21N100是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET晶体管，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用TO-247封装，具有优良的热性能和高可靠性。IXTN21N100主要用于工业电机控制、电源系统、逆变器、太阳能逆变器以及电动汽车等应用中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1000V
最大漏极电流(Id)：21A
导通电阻(Rds(on))：0.35Ω
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTN21N100 MOSFET具有出色的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下的低功耗和高效能。该器件设计有快速恢复二极管，能够减少开关损耗并提高整体效率。此外，该MOSFET具有高耐压能力和过热保护功能，确保在严苛环境下的稳定运行。TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命。
在开关特性方面，IXTN21N100具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这有助于减少高频应用中的开关损耗。此外，其快速的上升和下降时间使其适用于高频开关电路。器件内部还集成了保护功能，如过流保护和短路保护，确保在异常工作条件下的安全运行。
另外，IXTN21N100的封装设计允许其在高温度环境中正常工作，且具备良好的机械稳定性和电气绝缘性能。这使得该器件非常适合用于要求高可靠性和长寿命的工业和汽车电子应用。
IXTN21N100广泛应用于高功率电子系统中，如工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车充电系统以及高功率DC-DC转换器。其高耐压和大电流能力使其成为电力电子变换器和功率控制设备的理想选择。此外，该MOSFET也常用于焊接设备、医疗电源系统以及高功率LED照明驱动电路。
IXTN21N100A, IXTK21N100, IXFP21N100
