时间：2025/6/3 17:08:31
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RQ5RW30BA-TR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的高性能 MOSFET 场效应晶体管。该器件采用 N 沟道增强型技术，主要用于开关和功率管理应用。它具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，适用于需要高效能的电源管理系统。
RQ5RW30BA-TR 的封装形式为 LFPAK8，这种封装设计有助于提高散热效率，并且能够满足紧凑型设计需求。该器件非常适合汽车电子、工业设备以及其他对可靠性要求较高的应用领域。
类型：MOSFET
沟道类型：N 沟道
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：1.7mΩ
Ids（连续漏极电流）：142A
栅极电荷：28nC
Vgs(th)（阈值电压）：2.6V
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装：LFPAK8
RQ5RW30BA-TR 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可降低功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关特性使其适合高频开关应用。
3. 高额定电流能力，支持大功率负载。
4. 工作温度范围宽广，适应多种环境条件，特别适合汽车级应用。
5. 小巧的 LFPAK8 封装节省 PCB 空间，同时具备良好的散热性能。
6. 符合 AEC-Q101 标准，确保在严苛环境下可靠运行。
RQ5RW30BA-TR 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子：如电机控制、电池管理、DC-DC 转换器等。
2. 工业自动化：用于伺服驱动器、逆变器和其他功率转换系统。
3. 通信设备：如基站电源模块和网络交换机中的功率管理部分。
4. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、平板充电器等高效率电源解决方案。
5. 太阳能逆变器及其他绿色能源相关设备。
RQ5RW30AB-TR, RQ5PW30BA-TR
