YG802N09 时间：2025/8/9 2:02:30 阅读：24

YG802N09是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率、高频率的功率转换器设计。其封装形式为TO-220，具备良好的热管理和机械稳定性，适合多种工业和消费类电子应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω（最大值）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
　　最大栅极电压(Vg(max))：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

YG802N09 MOSFET采用了先进的沟槽技术，使其在高压和高电流条件下仍能保持优异的性能。其低导通电阻特性可以显著减少导通损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件具备快速的开关速度，有助于降低开关损耗，提升功率转换器的工作频率。
　　在可靠性方面，YG802N09设计有较高的热稳定性，能够在高功率密度环境下长时间运行而不会出现性能下降。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定工作。该器件还具备较高的抗雪崩能力和良好的抗过载能力，能够在极端条件下提供可靠的保护。YG802N09适用于多种应用场景，包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业自动化设备中的功率控制部分。其优异的电气特性和机械稳定性使其成为高要求应用的理想选择。