时间：2025/9/1 10:26:10
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IS61LPS12836A-200TQLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用高性能的CMOS技术制造，具有较高的可靠性和稳定性，适用于需要快速数据访问的嵌入式系统和通信设备。这款SRAM芯片的容量为128K x 36位，数据宽度较宽，适合需要高带宽数据处理的应用。
容量：128K x 36位
供电电压：2.3V - 3.6V
访问时间：200MHz
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：165-TQFP（薄型四边扁平封装）
接口类型：并行
数据宽度：36位
功耗：典型工作电流约 180mA @ 200MHz
IS61LPS12836A-200TQLI 具有多个关键特性，使其在高性能存储应用中表现出色。首先，该SRAM芯片具备高速访问能力，最大访问频率可达200MHz，满足高速数据缓存和实时处理的需求。其次，该芯片采用了低功耗CMOS技术，在保持高性能的同时，有效降低了工作电流，延长了设备的续航时间。此外，该器件支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），增强了其在不同电源环境下的适应能力。165引脚的TQFP封装形式提供了良好的散热性能和空间节省，适合紧凑型设计。IS61LPS12836A-200TQLI 的工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在恶劣工业环境中的稳定运行。
另外，该SRAM芯片具有优异的抗干扰能力，支持高可靠性操作。其36位数据宽度适用于高性能处理器、网络交换设备、图像处理模块等需要大量数据并行处理的场景。此外，该芯片的并行接口设计便于与多种主控芯片直接连接，简化了系统设计的复杂度。综合来看，IS61LPS12836A-200TQLI 是一款适用于工业、通信和嵌入式系统的高性能SRAM解决方案。
IS61LPS12836A-200TQLI 主要用于对速度和稳定性有较高要求的应用场景。其典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、网络设备的数据缓冲、图像处理单元的帧缓存、工业控制设备的临时存储以及高速数据采集系统的临时数据存储。该芯片也广泛应用于通信模块、视频处理设备、智能卡读写器、高速打印机和工业自动化控制器等领域。由于其36位宽数据总线，特别适用于需要高带宽数据传输的FPGA、DSP和高性能微处理器系统。
IS61LPS12836A-200TQ, IS61LV12836A-200TQLI, CY7C1380D-200BZC, IDT71V416SA200BQI
