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IS61LPS12836A-200TQLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:26:10 查看 阅读:8

IS61LPS12836A-200TQLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用高性能的CMOS技术制造,具有较高的可靠性和稳定性,适用于需要快速数据访问的嵌入式系统和通信设备。这款SRAM芯片的容量为128K x 36位,数据宽度较宽,适合需要高带宽数据处理的应用。

参数

容量:128K x 36位
  供电电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:200MHz
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:165-TQFP(薄型四边扁平封装)
  接口类型:并行
  数据宽度:36位
  功耗:典型工作电流约 180mA @ 200MHz

特性

IS61LPS12836A-200TQLI 具有多个关键特性,使其在高性能存储应用中表现出色。首先,该SRAM芯片具备高速访问能力,最大访问频率可达200MHz,满足高速数据缓存和实时处理的需求。其次,该芯片采用了低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时,有效降低了工作电流,延长了设备的续航时间。此外,该器件支持宽电压范围(2.3V 至 3.6V),增强了其在不同电源环境下的适应能力。165引脚的TQFP封装形式提供了良好的散热性能和空间节省,适合紧凑型设计。IS61LPS12836A-200TQLI 的工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在恶劣工业环境中的稳定运行。
  另外,该SRAM芯片具有优异的抗干扰能力,支持高可靠性操作。其36位数据宽度适用于高性能处理器、网络交换设备、图像处理模块等需要大量数据并行处理的场景。此外,该芯片的并行接口设计便于与多种主控芯片直接连接,简化了系统设计的复杂度。综合来看,IS61LPS12836A-200TQLI 是一款适用于工业、通信和嵌入式系统的高性能SRAM解决方案。

应用

IS61LPS12836A-200TQLI 主要用于对速度和稳定性有较高要求的应用场景。其典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、网络设备的数据缓冲、图像处理单元的帧缓存、工业控制设备的临时存储以及高速数据采集系统的临时数据存储。该芯片也广泛应用于通信模块、视频处理设备、智能卡读写器、高速打印机和工业自动化控制器等领域。由于其36位宽数据总线,特别适用于需要高带宽数据传输的FPGA、DSP和高性能微处理器系统。

替代型号

IS61LPS12836A-200TQ, IS61LV12836A-200TQLI, CY7C1380D-200BZC, IDT71V416SA200BQI

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IS61LPS12836A-200TQLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量4 MB
  • 组织128 K x 36
  • 访问时间3.1 ns
  • Supply Voltage - Max3.465 V
  • Supply Voltage - Min3.135 V
  • 最大工作电流210 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TQFP-100
  • 封装Tube
  • 接口TTL
  • 最大时钟频率200 MHz
  • 端口数量4
  • 工厂包装数量72
  • 类型Synchronous