时间：2025/8/9 3:23:53
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YG339N4是一款低噪声、高线性度的硅双极晶体管（SiGe NPN晶体管），专为高频、低噪声放大器应用而设计。该器件采用了先进的SiGe技术，具有优异的高频性能和低噪声特性，适用于无线通信、射频前端电路以及低噪声放大器等应用。YG339N4采用SOT-343封装，具有小型化和高可靠性的优势，适合在高频率环境下使用。
晶体类型：NPN型SiGe晶体管
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：5 V
最大基极电流：5 mA
特征频率：6 GHz
噪声系数：0.75 dB @ 2 GHz
功率增益：17 dB @ 2 GHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-343
YG339N4晶体管采用先进的硅锗（SiGe）技术制造，具备优异的高频性能和低噪声特性。其特征频率高达6 GHz，适用于GHz级别的射频和微波应用。该器件的噪声系数在2 GHz频率下低至0.75 dB，适合用于前端低噪声放大器的设计。此外，YG339N4具有较高的线性度和稳定的增益表现，功率增益可达17 dB，确保信号在放大过程中保持良好的质量和精度。SOT-343的小型封装结构使其适用于高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业和通信设备中使用。
YG339N4的工作电压范围较宽，能够在低至3 V的电源电压下正常工作，同时保持良好的性能。该器件的基极电流限制在5 mA以内，避免了过高的驱动要求，适合与各种射频集成电路配合使用。此外，其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，保证了在各种环境条件下都能稳定运行。
YG339N4广泛应用于无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）、射频前端模块、高频放大器、无线基础设施设备、移动通信设备以及测试与测量仪器。由于其优异的高频特性和低噪声性能，该晶体管特别适合用于5G通信、Wi-Fi 6、毫米波雷达等新兴高频应用领域。此外，YG339N4也常用于射频接收机的前端放大电路中，以提升系统整体的信号接收灵敏度和稳定性。
BFQ56, BFG521, BFR93A, YG339N5, YG339N3
