时间：2025/6/6 14:42:37
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YFW5N50AMJ 是一款 N 沣道通 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率半导体器件。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种功率转换和控制场景。YFW5N50AMJ 的设计使其在开关电源、电机驱动、逆变器以及负载切换等应用中表现出色。
该型号采用 TO-247 封装形式，能够有效散热并适应高功率需求。其制造工艺采用了先进的沟槽式技术，从而优化了性能和可靠性。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：9A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
输入电容：1300pF
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
YFW5N50AMJ 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达 500V 的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻 (Rds(on))，仅为 0.18Ω，在大电流条件下能减少功率损耗，提升效率。
3. 快速开关特性，得益于较低的栅极电荷 (Qg)，有助于降低开关损耗。
4. 良好的热性能，通过 TO-247 封装实现高效的热量散发，保证长时间稳定运行。
5. 宽工作温度范围，从 -55℃ 到 +150℃，适应各种恶劣环境条件。
6. 出色的雪崩能力和抗静电能力，增强了器件的可靠性和耐用性。
YFW5N50AMJ 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器，用于高效的能量转换。
2. 电机驱动和控制电路，支持各类电机调速和方向控制。
3. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS)，提供稳定的能量输出。
4. 负载切换和保护电路，确保系统安全运行。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 各类电子设备中的高压开关元件。
IRF540N
STP90NF06L
FQP12N50
