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YFW5N50AD 发布时间 时间:2025/6/6 14:41:26 查看 阅读:5

YFW5N50AD是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关应用。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
  其主要设计目的是在中高电压环境下提供高效的功率转换能力,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:1.1A
  栅极电荷:30nC
  输入电容:480pF
  导通电阻(典型值):7.5Ω
  开关频率:高达500kHz
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
  2. 快速开关速度,能够满足高频电路需求。
  3. 超低的导通电阻,降低功率损耗。
  4. TO-252小尺寸封装,节省PCB空间。
  5. 稳定的电气性能,在高温条件下表现优异。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  7. 内部集成保护机制,如过流保护等,提高系统可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的主开关元件。
  3. 逆变器及电机驱动电路中的功率级组件。
  4. PFC(功率因数校正)电路中的功率MOSFET。
  5. 各类电池充电器和适配器中的开关元件。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  7. 消费类电子产品中的高效功率转换方案。

替代型号

IRF540N, FQP12N50, STP55NF06L

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