时间：2025/6/6 14:41:26
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YFW5N50AD是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关应用。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
其主要设计目的是在中高电压环境下提供高效的功率转换能力，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：1.1A
栅极电荷：30nC
输入电容：480pF
导通电阻（典型值）：7.5Ω
开关频率：高达500kHz
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 快速开关速度，能够满足高频电路需求。
3. 超低的导通电阻，降低功率损耗。
4. TO-252小尺寸封装，节省PCB空间。
5. 稳定的电气性能，在高温条件下表现优异。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
7. 内部集成保护机制，如过流保护等，提高系统可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的主开关元件。
3. 逆变器及电机驱动电路中的功率级组件。
4. PFC（功率因数校正）电路中的功率MOSFET。
5. 各类电池充电器和适配器中的开关元件。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 消费类电子产品中的高效功率转换方案。
IRF540N, FQP12N50, STP55NF06L
