时间：2025/6/25 16:02:08
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YFW5N10SI 是一款 N 治道硅功率场效应晶体管（MOSFET），专为高效率开关应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于高频 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动等应用领域。
YFW5N10SI 的额定电压为 100V，能够承受较高的漏源电压，同时具备出色的热性能和电气性能，确保在各种严苛条件下稳定运行。
最大漏源电压：100V
最大连续漏电流：5.8A
最大脉冲漏电流：23A
栅源开启电压：2.2V~4.0V
导通电阻：75mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗：26W
工作结温范围：-55℃~+150℃
YFW5N10SI 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，适用于高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性与可靠性。
4. 小型化封装设计，便于 PCB 布局并节省空间。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 内置防静电保护机制，提升产品耐用性。
YFW5N10SI 广泛应用于多种电子设备中，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 各类消费类电子产品及工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 充电器和适配器中的功率管理组件。
IRF540N
STP55NF06L
FQP50N06L
