电容值：100nF (0.1μF)
　　额定电压：50V
　　电介质材料：X7R
　　温度系数：±15% (-55°C 至 +125°C)
　　封装尺寸：0805 (2012公制)
　　电容容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　产品类型：表面贴装多层陶瓷电容器
　　端接类型：镍障层/锡镀层（Ni-Sn）
　　最小包装数量：4000只/卷带
　　长度：2.0mm ±0.2mm
　　宽度：1.2mm ±0.2mm
　　高度：1.25mm Max

YFF31PC1C104MT000N所采用的X7R型电介质材料赋予了该电容器出色的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内保持电容值变化不超过±15%，这使得它非常适合用于环境温度波动较大的应用场景。相较于Z5U或Y5V等电介质类型，X7R在温度变化下的电容稳定性显著更优，因此在对电路稳定性要求较高的电源去耦和滤波应用中被广泛选用。该电容器具有较小的封装尺寸（0805），在有限的PCB空间内实现了较高的电容密度，有助于提高系统集成度并减少整体体积。同时，由于其为多层结构设计，内部电极交错排列，有效降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而提升了高频响应能力，使其在开关电源输出滤波、DC-DC转换器输入旁路等高频噪声抑制场合表现出色。
　　该型号电容器采用镍阻挡层和锡外电极结构，具备良好的可焊性和抗迁移性能，能够有效防止银离子在潮湿环境下发生电化学迁移导致短路的问题，提高了长期使用的可靠性。其端电极为三层电极结构（Cu/Ni/Sn），增强了与回流焊工艺的兼容性，确保在自动化SMT生产过程中形成牢固的焊点。此外，该器件通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于汽车电子等对元器件耐久性要求严苛的领域。产品在制造过程中遵循严格的品质控制流程，具备高绝缘电阻和低漏电流特性，进一步保障了在高压或精密模拟电路中的安全运行。由于其无磁性材料特性，也适用于对电磁干扰敏感的射频或传感器电路中。

YFF31PC1C104MT000N广泛应用于多种电子设备中的去耦、滤波和旁路电路。在数字系统中，常用于微处理器、FPGA、ASIC等高速逻辑芯片的电源引脚附近，作为去耦电容以吸收瞬态电流波动，稳定供电电压，降低电源噪声。在开关电源（SMPS）设计中，该电容器可用于输入滤波和输出平滑滤波，配合电感构成LC滤波网络，有效抑制开关噪声，提升输出电压的纯净度。在DC-DC转换模块中，其低ESR和良好频率响应特性有助于提高转换效率并减少热损耗。此外，该器件也可用于模拟信号链路中的交流耦合与直流阻断，例如音频放大器或运算放大器的输入输出级之间，实现信号隔离的同时传递交流成分。
　　在工业控制设备中，YFF31PC1C104MT000N可用于PLC、HMI、传感器接口模块等产品的电源管理单元，提供稳定的局部储能功能。在通信设备如路由器、交换机和基站模块中，该电容器用于电源轨的噪声抑制，确保高速数据传输的信号完整性。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能电视等也大量使用此类规格的MLCC进行板级电源去耦。此外，由于其工作温度范围宽且可靠性高，该器件还可应用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、ADAS模块、车身控制模块等，在高温引擎舱或寒冷外部环境下依然保持性能稳定。

GRM21BR71H104KA01L
　　CL21A106KOQNNNE
　　C2012X7R1H104K