HZF27BPTR 时间：2025/9/7 15:10:25 阅读：6

HZF27BPTR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种高效率电源转换系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：27A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 17mΩ（在 VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPak）

特性

HZF27BPTR 的核心特性在于其极低的导通电阻，使得在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。其采用的沟槽式工艺提高了单位面积的电流承载能力，并优化了器件的热性能。该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，可有效减少开关损耗。
　　此外，HZF27BPTR 具备较强的过热保护能力和抗雪崩击穿性能，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。其 ±20V 的栅极电压耐受能力也提高了在高电压驱动条件下的可靠性，减少了栅极击穿的风险。
　　TO-252（DPak）封装形式提供了良好的散热性能，并支持表面贴装工艺，便于在现代 PCB 设计中实现高密度布局和自动化生产。

应用

HZF27BPTR 主要应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统等。其优异的导通特性和热稳定性使其特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计，如服务器电源、工业控制电源、便携式充电设备以及新能源汽车的电控系统。
　　在汽车应用中，HZF27BPTR 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块中的功率开关，满足汽车电子对可靠性和耐久性的严格要求。