工作频率：2.3 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率：+24 dBm（典型值）
　　增益：31.4 dB
　　噪声系数：1.8 dB
　　电源电压：3.3 V
　　电流消耗：180 mA
　　封装类型：QFN（SCDE）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

XRT83SH314IB-SCDE 具有多个关键特性，使其在射频应用中表现出色。首先，该芯片支持 2.3 GHz 至 2.7 GHz 的宽频带范围，适用于多种无线通信标准，包括 4G LTE、WiMAX 和其他宽带无线系统。其次，其高增益性能（31.4 dB）能够显著增强信号强度，从而改善通信链路的稳定性。
　　该器件的噪声系数为 1.8 dB，保证了在低噪声环境下的信号完整性，这对于接收端的信号解调至关重要。此外，其输出功率高达 +24 dBm，满足了高线性度和高输出需求的应用场景，如射频测试设备和基站前端。
　　在电源管理方面，XRT83SH314IB-SCDE 工作电压为 3.3 V，典型电流消耗为 180 mA，具有良好的功耗控制能力，适合长时间运行的通信设备。封装采用小型化的 QFN（SCDE）形式，便于 PCB 设计和空间优化。
　　芯片还具有宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业级和户外通信设备，确保在极端环境下的稳定运行。

XRT83SH314IB-SCDE 主要用于高性能射频通信系统，如 4G/5G 基站、WiMAX 接入设备、无线测试与测量仪器、射频信号中继器以及宽带无线接入点等。由于其高线性度和低噪声特性，该芯片也适用于需要高信号保真度的数字通信和广播系统。此外，XRT83SH314IB-SCDE 还广泛用于工业自动化、航空航天和国防通信等对可靠性要求较高的应用领域。

HMC414MS16E, MAX2062ESE+T