XRP6657IHBTR-F是一款由Exar公司(现为Maxim Integrated)设计的高效同步整流(SR)控制器,专为用于反激式转换器中的次级侧整流应用而设计。该器件通过监测MOSFET的导通和关断状态,智能地驱动外部N沟道MOSFET以替代传统的肖特基二极管,从而显著提高转换效率。XRP6657IHBTR-F支持广泛的输入电压范围,并适用于各种AC/DC适配器、充电器、工业电源以及LED照明电源等应用。
工作电压范围:4.5V 至 30V
工作频率:最高可达200kHz
封装类型:TQFN(4mm x 4mm)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
驱动能力:MOSFET栅极驱动器输出电流 ±1.5A
典型静态电流:小于1mA
最大漏极-源极电压:30V
XRP6657IHBTR-F具备多项先进特性,以确保其在各类电源应用中的高效稳定运行。其核心功能是通过检测外部MOSFET的导通状态来实现精确的同步整流控制,从而减少导通损耗并提升整体转换效率。该器件采用了先进的检测算法,能够在各种负载条件下准确识别MOSFET的导通和关断时机,避免误触发和交叉导通。此外,XRP6657IHBTR-F还集成了多种保护功能,如过温保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)以及前沿消隐(LEB)以防止误触发,确保系统在恶劣工作条件下的可靠性。
该控制器支持宽输入电压范围,适用于多种拓扑结构的反激式转换器。其高驱动能力(±1.5A)使得能够快速开关大功率MOSFET,从而降低开关损耗并提高系统效率。此外,XRP6657IHBTR-F采用小型TQFN封装,节省PCB空间,适用于高密度电源设计。由于其高效的同步整流功能,该芯片能够显著提升电源的整体效率,满足现代能效标准(如CoC Tier 2、DoE Level VI等)。
XRP6657IHBTR-F还具备良好的兼容性,能够与多种初级侧控制器配合使用,实现完整的电源系统设计。其设计简化了同步整流电路的实现过程,减少了外围元件数量,降低了设计复杂度和成本。
XRP6657IHBTR-F广泛应用于各种需要高效同步整流的电源系统中,包括但不限于:AC/DC适配器、充电器(如USB PD、无线充电)、LED照明电源、工业自动化设备电源、电信和网络设备电源、电池充电系统以及各种高效率、高密度电源模块。其高效率和小型化设计使其特别适合用于对能效和空间要求较高的便携式电子设备电源解决方案。
UCC24612, NCP4306, FAN6005, MP6908