时间：2025/5/12 15:44:19
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XRCGB25M000F2N13R0 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶体管，广泛应用于高效率、高频开关场景。该器件采用先进的碳化硅技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合于电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及工业电源等应用领域。
相比传统的硅基功率器件，XRCGB25M000F2N13R0 提供了更优越的热性能和更低的能量损耗，同时支持更高的工作电压和频率。
额定电压：1200V
额定电流：25A
导通电阻：0.007Ω
栅极电荷：90nC
开关频率：100kHz-1MHz
结温范围：-55℃ to +175℃
1. 高电压承受能力，适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻，减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关特性，降低开关损耗并允许更高的工作频率。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持优异性能。
5. 内置反向恢复二极管，进一步优化电路设计并简化布局。
6. 小型化封装，节省PCB空间的同时便于散热管理。
1. 电动车车载充电器 (OBC) 和直流快充桩。
2. 光伏逆变器及储能系统中的DC-DC和DC-AC转换模块。
3. 工业电机驱动器和不间断电源 (UPS) 系统。
4. 高频开关电源 (SMPS) 和PFC (功率因数校正) 电路。
5. 通信基站电源和其他需要高效能量转换的场合。
XRCGB25M000F2N12R0, XRCGB25M000F2N14R0
