类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.15Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（PD）：40W

2N5525具有多种优异的电气和热性能，适用于高要求的电子应用。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的能效。该器件的栅极驱动电压范围宽，可在4V至10V之间有效控制导通状态，适合多种驱动电路设计。此外，2N5525具有较高的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定运行。
　　这款MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，能够有效减少开关损耗。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率负载下仍能保持较低的工作温度。2N5525还具备较高的抗过载和短路能力，增强了器件在严苛工作条件下的可靠性。
　　从制造工艺来看，2N5525采用了先进的硅加工技术，保证了器件的一致性和稳定性。其内部结构设计优化了电场分布，减少了寄生电容的影响，从而提高了高频响应能力。这种MOSFET在设计上还考虑了环保要求，符合RoHS标准，适用于各种环保型电子产品。

2N5525适用于多种高功率和高频电子电路，常用于开关电源（SMPS）中的功率开关器件，以提高能效并减少发热。它也广泛应用于DC-DC转换器、马达控制电路、电子负载、电池充电器和逆变器系统中。此外，该器件还可用于音频放大器的功率输出级、LED照明驱动电路以及工业自动化控制设备中的功率开关应用。

IRFZ44N, FDPF4N60, 2N5526, 2SK2648, 2SK1530