制造商：Infineon Technologies
　　产品类别：SRAM
　　存储容量：16Mbit
　　组织结构：2M x 8 或 1M x 16
　　工作电压：3.3V ± 10%
　　访问时间：12ns / 15ns / 20ns（可选）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：44引脚 Ceramic Flat Package (CFP)
　　抗辐射能力：100krad(Si) TID
　　单粒子锁定（SEL）免疫：是
　　单粒子翻转（SEU）抗性：有
　　质量等级：QML-V, MIL-PRF-38535 V级
　　数据保持电压：最小2.0V
　　待机电流：典型值10μA
　　读写操作电流：典型值120mA

XQR17V16CK44M具备卓越的抗辐射性能，其核心设计目标是在高能粒子辐照环境下维持数据完整性与功能稳定性。该器件经过全面的辐射测试验证，在总电离剂量（TID）方面可承受高达100krad(Si)的累积辐射量，远超商业级和工业级存储器的耐受极限。同时，它具有完全的单粒子锁定（SEL）免疫能力，即使在重离子轰击条件下也不会发生电流失控现象，避免系统因电源短路而失效。此外，其单粒子翻转（SEU）截面极低，显著降低了由宇宙射线引起的位翻转概率，结合外部EDAC（错误检测与纠正）机制可实现近乎零故障的数据存储。
　　该SRAM支持异步读写操作，提供12ns、15ns和20ns三种速度等级选项，满足不同性能需求的应用场景。双宽度数据接口（8位或16位）使其灵活适配多种处理器架构，尤其适合与抗辐射FPGA、ASIC或专用微控制器协同使用于航天电子系统中。器件内部采用冗余电路设计和加固工艺，提升对瞬态干扰和长期老化效应的抵抗能力。所有制造流程均在经认证的生产线完成，遵循严格的筛选、老化和测试程序，包括温度循环、功率老化、密封性检测等，确保每颗芯片都达到航天级可靠性标准。
　　功耗方面，XQR17V16CK44M在正常工作状态下的典型电流为120mA，而在待机模式下可降至10μA以下，有助于降低整体系统的热负荷并延长电池供电任务的续航时间。其3.3V供电设计兼容现代低电压逻辑系统，同时保留足够的噪声容限以应对空间环境中的电磁波动。陶瓷封装不仅提供了优异的热稳定性和机械强度，还具备良好的气密性，防止湿气和污染物侵入，从而保障器件在真空或极端温变条件下的长期可靠性。

XQR17V16CK44M主要用于对可靠性和环境适应性要求极为严苛的航空航天与国防领域。典型应用场景包括地球观测卫星、通信卫星、导航卫星（如GPS）、深空探测器（如火星车、星际飞船）、载人航天器（如空间站模块）以及弹道导弹制导系统、高空无人机控制系统和核生化防护指挥平台等军事装备。在这些系统中，该SRAM常被用作高速缓存、实时数据缓冲区、图像处理中间存储或飞行软件临时运行区，配合抗辐射处理器完成关键任务的执行。由于其异步接口特性，特别适合用于不依赖固定时钟同步的嵌入式架构，例如基于SPARC、PowerPC或自定义RISC内核的宇航电子系统。此外，该器件也广泛应用于需要长期无人维护、自主运行的深海探测器或极地监测站等地面极端环境设备中，作为主存储单元之一。其高抗辐射能力和宽温工作特性使其成为唯一能在近地轨道以上空间长期稳定工作的SRAM解决方案之一。

XQF17V16CG44M