类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：60V
　　发射极-基极电压（Vebo）：6V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：300 @ 10mA, 5V
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

CPH5855-TL-E具备优异的高频响应能力，其典型的过渡频率（fT）可达200MHz，这使得它非常适合用于高频放大和高速开关电路中。在射频前端模块、音频前置放大器以及脉冲信号处理电路中，该晶体管能够有效保持信号完整性并减少失真。其高fT值意味着在较高频率下仍能维持良好的增益性能，从而扩展了其在通信系统中的适用范围。
　　该器件具有较高的直流电流增益（hFE），典型值为300，在10mA工作电流下表现出优异的电流放大能力。这一特性使其在微弱信号放大应用中非常有用，例如传感器信号调理、低电平音频放大等场合。高hFE还意味着可以用较小的基极电流来控制较大的集电极电流，提高了电路的驱动效率，并减少了前级电路的负载压力。
　　CPH5855-TL-E的低饱和电压特性进一步增强了其作为开关器件的表现。当晶体管完全导通时，集电极与发射极之间的电压降非常小，通常低于0.2V（在IC=100mA时），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。这一优势在电池供电设备中尤为重要，有助于延长续航时间。
　　该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，适用于高密度印刷电路板布局。同时，其热阻较低，能够在有限的空间内有效散热，保障长期稳定运行。此外，器件经过严格筛选和测试，批次一致性好，适合大规模量产使用。

CPH5855-TL-E广泛应用于各类中小功率电子系统中。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等，常用于LED背光驱动、LCD偏压生成或按键灯控制电路中的开关元件。其快速响应能力和低驱动电流需求使其成为理想的逻辑电平转换和接口驱动器件。
　　在便携式医疗设备和可穿戴产品中，该晶体管可用于心率传感器信号放大、血氧检测电路中的光电二极管信号预处理等模拟前端设计。由于其低噪声和高增益特性，能够有效提升微弱生理信号的信噪比。
　　工业控制领域中，CPH5855-TL-E可用于继电器驱动、电机启停控制、PLC输入输出模块的信号隔离与放大等场景。其可靠的开关性能和宽温度工作范围（-55°C至+150°C）确保在恶劣环境下依然稳定运行。
　　此外，该器件也常见于电源管理电路中，例如DC-DC转换器的反馈回路、LDO使能控制、电池充电指示灯驱动等。在无线通信模块中，可用于RF开关或天线切换电路，发挥其高频特性和低插入损耗的优势。