XQ7V585T-1RF1761M 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频率开关电源和电机驱动场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高耐压特性和快速开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低功耗。
该器件特别适合需要高效能和稳定性的应用环境,如工业设备、通信电源、电动车驱动等。
型号:XQ7V585T-1RF1761M
类型:N沟道增强型MOSFET
封装形式:TO-247
最大漏源电压(Vds):700V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
总功耗(Ptot):250W
工作温度范围(Top):-55℃ 至 +175℃
切换频率:最高支持 500kHz
XQ7V585T-1RF1761M 的核心优势在于其卓越的电气性能和稳定性。它采用了最新的超结技术,从而实现了较低的导通电阻,同时保持了较高的耐压能力。这一设计使其在高频开关条件下仍能保持较低的热损耗。
此外,该器件具有非常短的开关时间(典型值为 30ns),有助于减少开关损耗,并且内置了过流保护功能以确保在极端负载条件下的安全性。
该芯片还具有良好的抗静电能力(ESD 超过 4kV),进一步增强了其在恶劣环境中的可靠性。整体上,这款 MOSFET 具备优异的热性能,能够在高功率密度应用中长期稳定运行。
XQ7V585T-1RF1761M 广泛应用于多种高要求领域,包括但不限于以下:
1. 开关电源(SMPS):作为主功率开关管,提供高效能的电能转换。
2. 电机驱动:适用于电动车、工业机器人和其他自动化设备中的电机控制模块。
3. UPS 不间断电源:用于逆变器电路,保障系统的持续供电。
4. 工业变频器:用作功率级元件,实现对交流电机的速度和扭矩精确控制。
5. 光伏逆变器:助力将直流电转化为交流电,提高光伏发电系统的效率。
6. 充电器与适配器:适用于笔记本电脑、服务器等大功率充电设备。
XQ7V585T-1RF1761P, IRFP260N, STW96N75K5