时间：2025/9/2 11:38:12
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HY57V161610DTC-8是一款由现代电子（Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于16M x 16位的DRAM存储器，采用同步动态RAM（SDRAM）技术，广泛用于需要高速数据存储和访问的电子设备中。
容量：256MB（16M x 16位）
电压：3.3V
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
数据速率：166MHz
时钟频率：166MHz
工作温度范围：工业级温度范围
数据宽度：16位
存储架构：DRAM
接口类型：并行接口
封装尺寸：54引脚TSOP
HY57V161610DTC-8具有高性能的同步DRAM特性，支持高速数据存取，适用于需要大量数据处理的应用场景。其3.3V电源设计确保了稳定的工作电压，同时降低了功耗，提高了能效。
此外，该芯片采用了TSOP封装技术，有助于提高PCB板上的布线密度，并改善散热性能，使其适合在空间受限的电子设备中使用。
该DRAM芯片支持突发模式（Burst Mode），可以连续读取或写入多个数据，提高了数据传输效率。它还支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在不丢失的情况下保持稳定。
由于其高容量和高速特性，HY57V161610DTC-8在工业控制、嵌入式系统、网络设备以及多媒体设备中得到了广泛应用。
HY57V161610DTC-8主要应用于需要大容量高速缓存的电子设备中，如工业控制设备、嵌入式系统、路由器、交换机、数字电视、机顶盒、视频监控系统等。
此外，它也适用于需要高性能存储的图像处理设备、医疗成像设备以及汽车电子系统中。由于其稳定的性能和广泛的工作温度范围，HY57V161610DTC-8非常适合用于工业级和汽车级应用环境。
MT48LC16M16A2B4-6A, K4S641632E-TCC
