时间：2025/6/22 15:22:54
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XPD15N10GD是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN33封装形式。该器件适用于各种需要高效开关和低导通电阻的场景，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
此型号的主要特点是其较低的导通电阻和较高的效率表现，同时具备出色的热性能与稳定性，适合用于空间受限的设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：24nC
总电容：860pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
XPD15N10GD具有以下主要特性：
1. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为7.5mΩ，有助于降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高效开关能力：该器件提供快速开关速度，栅极电荷小，能有效减少开关损耗。
3. 小尺寸封装：PDFN33封装使其非常适合对体积要求严格的紧凑型设计。
4. 高可靠性：经过优化的工艺流程和严格的测试标准确保了其在恶劣环境下的稳定运行。
5. 宽广的工作温度范围：从-55℃到+175℃，适应多种极端条件。
XPD15N10GD适用于以下应用领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC转换器及降压升压电路。
3. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、充电器等中的功率管理模块。
4. 工业设备中的电机驱动和负载开关。
5. 通信设备中的信号切换与保护电路。
XPD15N10GDS
XPD15N10GDE
IRFZ44N
