XPC860TZP50D4是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该芯片采用先进的制程技术,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低能耗并提高系统效率。
此型号属于增强型N沟道MOSFET,适合在高电压和大电流条件下工作。其封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,适用于多种工业级和消费级电子设备。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:16A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:35nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃至+175℃
XPC860TZP50D4具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提升整体效率。
2. 快速开关能力,支持高频应用,能够适应现代电力电子系统的严苛要求。
3. 高击穿电压设计,确保在高压环境下稳定运行。
4. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持优异性能。
5. 封装坚固耐用,易于安装和维护,同时提供高效的散热路径。
这些特性使得XPC860TZP50D4成为各类高效能电源管理解决方案的理想选择。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的逆变器模块。
4. LED驱动器中的调节组件。
5. 各类工业控制设备中的功率转换与保护电路。
XPC860TZP50D4凭借其卓越的性能表现,已成为众多工程师在设计高效能电子产品时的首选方案。
XPC860TZA50D4, IRF840, STP160N10F7