制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：256 Mbit
　　组织结构：16 M x 16
　　供电电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：64-pin TSOP Type II
　　访问时间：125 ns
　　接口类型：并行异步
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　总线宽度：16位
　　待机电流：典型值 20 μA
　　读取电流：典型值 25 mA
　　编程/擦除电流：典型值 50 mA

JS28F256J3C125采用了Intel专有的MirrorBit? 存储技术，这项技术通过在每个物理存储单元中利用两个独立的电荷存储区域来实现双比特存储，从而在相同硅片面积下提供两倍于传统NOR闪存的存储密度。这种创新结构不仅提高了存储效率，还保持了NOR闪存固有的优势，如随机访问速度快、支持XIP（eXecute In Place）功能，允许处理器直接从闪存中执行代码而无需加载到RAM，极大提升了系统启动速度和响应性能。
　　MirrorBit技术还带来了更高的可靠性与耐久性。JS28F256J3C125支持高达10万次的编程/擦除周期，数据保存时间可达20年以上，确保在长期运行的工业和通信设备中具备出色的稳定性。芯片内置的智能写入状态机（Embedded Write State Machine）能够自动管理复杂的编程和擦除算法，用户只需发送命令序列即可完成操作，无需干预底层时序控制，降低了软件开发复杂度并减少了出错风险。
　　该器件支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，可在系统空闲时显著降低功耗，适用于对能耗敏感的应用场景。其宽电压工作范围（2.7V~3.6V）使其兼容多种电源系统设计，并增强了在电压波动环境下的适应能力。此外，JS28F256J3C125具备硬件写保护引脚（WP#），可防止意外写入或擦除操作，提升数据安全性。
　　在可靠性方面，器件符合工业级温度规范（-40°C ~ +85°C），可在极端温度环境下稳定运行。它还集成了内部电荷泵，用于生成编程所需的高压，无需外部高压电源，简化了电源设计。同时，支持扇区级别的擦除功能（最小擦除单位为64KB扇区），使系统能够灵活地进行固件更新和数据管理。

JS28F256J3C125因其高可靠性、快速读取性能和工业级工作温度范围，被广泛应用于多种嵌入式系统和工业电子设备中。在通信领域，常用于路由器、交换机和基站设备中作为固件存储器，用于存放操作系统、配置文件和启动代码，支持快速启动和现场升级功能。在网络设备中，其XIP（就地执行）能力使得系统可以直接从闪存运行引导程序，减少对外部RAM的依赖，优化资源利用。
　　在工业自动化控制系统中，该芯片用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，存储控制程序、参数表和诊断信息。由于其具备良好的抗干扰能力和宽温工作特性，能够在工厂车间、电力系统等恶劣电磁和温度环境中长期稳定运行。
　　在汽车电子方面，JS28F256J3C125可用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块和ADAS（高级驾驶辅助系统）中的非易失性代码存储。虽然现代汽车更多采用SPI NOR或串行闪存，但在某些需要高带宽并行接口的老款车型或特定模块中仍有应用。
　　此外，在医疗设备、测试仪器和军事通信设备中，该芯片也因其数据保持能力强、耐久性高而受到青睐。例如，在便携式医疗监测仪中用于存储校准数据和固件；在军用通信终端中用于存储加密算法和操作指令，确保在断电后数据不丢失。其64引脚TSOP封装便于手工焊接和返修，适合中小批量生产和维护场景。

MT28EW256ABA1LPC-0S3K
　　S29GL256P_125
　　S70GL02G_125