晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110 至 800（具体取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（TO-236）

F272-BAG-T-TR 晶体管具有多个显著的电气和物理特性，使其在各种电子应用中表现出色。首先，它具有高电流增益（hFE），范围从110到800，具体取决于测试条件。这使得该晶体管能够在低基极电流的情况下提供较大的集电极电流，从而提高电路的放大能力。此外，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，能够满足大多数中低功率放大和开关应用的需求。
　　其次，F272-BAG-T-TR 的最大集电极-发射极电压（VCE）和集电极-基极电压（VCB）均为30 V，这意味着它可以工作在相对较高的电压环境中，适用于多种电源管理电路。该晶体管的最大功耗为300 mW，在SOT-23封装中具有良好的热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C 至 +150°C）。
　　此外，该晶体管具有较低的饱和电压（VCE(sat)），在IC=100 mA、IB=5 mA时，最大VCE(sat)为0.2 V。这有助于降低导通损耗，提高能效，特别是在开关电路中表现优异。F272-BAG-T-TR 的频率响应（fT）达到100 MHz，使其适用于高频放大器和射频（RF）相关应用。
　　在封装方面，F272-BAG-T-TR 采用 SOT-23（TO-236）封装，体积小巧，适合表面贴装技术（SMT），广泛应用于便携式电子产品、消费类电子设备和工业控制系统。这种封装方式不仅节省空间，还能提高焊接可靠性和生产效率。

F272-BAG-T-TR 晶体管广泛应用于多个电子领域。在模拟电路中，它常用于音频放大器、电压调节器和传感器信号调理电路。由于其高增益和低噪声特性，非常适合用于前级放大或微弱信号的增强。
　　在数字电路中，F272-BAG-T-TR 可用作开关元件，控制LED、继电器、小型电机等负载。其低饱和电压和高电流承载能力使其在电源管理和负载开关应用中表现出色，尤其适用于电池供电设备的节能设计。
　　此外，该晶体管也可用于射频（RF）和高频放大电路，例如在无线通信设备中作为信号放大器。由于其100 MHz的频率响应，F272-BAG-T-TR 能够胜任一些低频到中频段的射频信号处理任务。
　　在工业自动化和控制系统中，F272-BAG-T-TR 用于驱动继电器、光耦隔离电路和接口控制电路。其宽工作温度范围和高可靠性使其适用于严苛的工业环境。

BC847系列, 2N3904, PN2222A