时间：2025/6/30 10:43:02
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XPC860TZP50B3是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率管理的电子设备中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提升系统效率。
此型号属于N沟道增强型场效应晶体管，广泛用于工业、汽车和消费类电子领域。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：78nC
输入电容：2350pF
总功耗：190W
工作结温范围：-55℃至+175℃
XPC860TZP50B3的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
2. 快速的开关速度，有助于降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具备更高的可靠性。
4. 小尺寸封装设计，节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 内置ESD保护功能，提高抗静电能力。
7. 热稳定性出色，适合高温环境下的应用。
该芯片适用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率转换。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源设备的功率管理部分。
XPC860TZP50B5,XPC860TZA50B3
