时间：2025/6/6 12:27:13
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XPC860DEZP50D4是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺，在高频工作条件下能够提供高效的性能和低导通损耗。
这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于需要高效率、快速开关速度以及低功耗的应用场景。它具有极低的导通电阻和优化的栅极电荷特性，从而确保了在各种负载条件下的优异表现。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：75nC
总栅极电荷：90nC
输入电容：1200pF
反向恢复时间：40ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，栅极电荷Qg较小，适合高频应用。
3. 良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受性。
5. 小型封装设计，便于PCB布局并节省空间。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
XPC860DEZP50D4广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率变换模块。
5. 工业自动化控制设备中的功率管理单元。
6. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
XPC860DEZP50D3
XPC850DEZP50D4
IRF860DPBF
FDP5020N
