XPC860DCZP25A3 时间：2025/5/8 8:47:08 阅读：9

XPC860DCZP25A3是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低功耗。
　　这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管，适合高电流、高频应用场合。其封装形式为行业标准的贴片式封装，便于自动化生产和散热管理。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：40A
　　导通电阻：2.5mΩ
　　栅极电荷：70nC
　　开关时间：开启延迟时间：12ns，上升时间：8ns，关断延迟时间：29ns，下降时间：8ns
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-263

特性

XPC860DCZP25A3的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少导通损耗，提升系统效率。
　　2. 快速的开关性能，适用于高频电路设计。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
　　4. 优秀的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
　　6. 小型化封装，节省PCB空间，同时提供良好的散热性能。

应用

该MOSFET芯片广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
　　3. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　4. 各种负载切换场景，如电池管理系统中的电子保险丝。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 汽车电子中的电机控制器和电源管理单元。