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M50FLW080AN5TG TR 发布时间 时间:2025/12/27 4:31:04 查看 阅读:79

M50FLW080AN5TG TR是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款8Mbit(1Mb x8/512Kb x16)的并行接口闪存芯片,属于其高性能、低功耗的NOR Flash产品系列。该器件采用先进的浮栅存储技术,提供非易失性数据存储能力,适用于需要代码存储和数据记录的应用场景。M50FLW080AN5TG TR工作电压为3.0V至3.6V,支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),封装形式为TSOP-56(Thin Small Outline Package),非常适合空间受限但对可靠性要求较高的嵌入式系统设计。这款Flash存储器具备快速随机读取能力,典型访问时间低至70ns,能够直接在芯片上执行程序(XIP, eXecute In Place),从而简化系统架构并提升整体性能。此外,该器件集成了多种安全与保护功能,包括软件数据锁定、硬件写保护以及顶部扇区架构,有效防止意外或恶意的数据修改。M50FLW080AN5TG TR广泛应用于网络设备、工业控制、消费电子、汽车电子及通信基础设施等领域。作为一款成熟的并行NOR Flash产品,它在系统启动代码、固件存储和配置信息保存方面表现出色,具备良好的兼容性和长期供货保障,适合中等密度存储需求的设计项目使用。

参数

型号:M50FLW080AN5TG TR
  制造商:STMicroelectronics
  存储容量:8 Mbit (1024 K × 8 / 512 K × 16)
  存储器类型:NOR Flash
  组织结构:按字节/字模式可选
  电压范围:3.0V 至 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP-56
  访问时间:70 ns
  接口类型:并行异步接口
  写入周期时间:典型值1秒(整片擦除)
  编程时间:典型值30μs/字
  擦除方式:扇区擦除、块擦除、整片擦除
  扇区大小:4 KB、32 KB、64 KB
  输入/输出电平:CMOS 兼容
  待机电流:≤ 100 μA
  工作电流:典型值 15 mA(读取模式)

特性

M50FLW080AN5TG TR具备多项先进特性,确保其在复杂嵌入式环境中的高可靠性与灵活性。
  首先,该器件支持灵活的扇区架构,包含多个可独立擦除的小型4KB扇区、中型32KB块以及大型64KB主块,允许用户精细管理代码和数据存储区域,优化更新效率并延长器件寿命。这种分层擦除结构特别适用于需要频繁更新部分固件而保留其余内容的应用场景。
  其次,芯片内置增强型写保护机制,通过WP#引脚实现硬件写保护,并结合软件命令序列进行扇区锁定,防止因电源波动或误操作导致的关键数据丢失。此外,它还支持Vpp引脚用于高电压编程使能,进一步提升安全性。
  再者,M50FLW080AN5TG TR支持完整的命令集,可通过标准CE#、OE#、WE#控制信号完成自动编程和自动擦除操作,极大简化了主机处理器的控制逻辑。内部状态寄存器提供编程/擦除操作的状态反馈,支持轮询和DQ6翻转两种查询方式,便于实时监控操作进度。
  该器件还具备出色的耐久性和数据保持能力,典型情况下可支持10万次编程/擦除周期,数据保存时间可达20年以上,满足工业和汽车级应用的长期运行需求。
  另外,M50FLW080AN5TG TR采用环保材料制造,符合RoHS指令要求,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子产品的发展趋势。其TSOP-56封装具有良好的热稳定性和电气性能,适合自动化贴装生产线,有助于提高制造良率。最后,意法半导体为其提供完善的开发支持,包括数据手册、应用笔记、编程算法指南和技术支持服务,帮助工程师快速完成系统集成与调试。

应用

M50FLW080AN5TG TR广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。
  在通信领域,常用于路由器、交换机和基站设备中存储启动引导程序(Bootloader)、操作系统映像和配置文件,利用其快速随机读取能力实现高效的XIP运行,减少对外部RAM的依赖。
  在工业控制方面,该芯片被集成于PLC控制器、HMI人机界面、远程I/O模块等设备中,用于保存控制逻辑、校准参数和历史日志信息,其宽温特性和抗干扰能力强的特点确保在恶劣环境下稳定运行。
  消费类电子产品如数字电视、机顶盒、打印机和智能家居网关也普遍采用此型号进行固件存储,得益于其成本效益高、接口简单且易于驱动的优点。
  在汽车电子中,M50FLW080AN5TG TR可用于车身控制模块、仪表盘显示单元和车载信息娱乐系统的辅助存储,满足AEC-Q100相关可靠性标准的部分要求(需确认具体等级)。
  此外,医疗设备、测试仪器和安防监控设备同样受益于该Flash的高稳定性与长寿命特性,能够在断电后持久保存关键设置和测量数据。
  由于其并行接口特性,该器件尤其适合与微控制器、DSP或FPGA直接连接,构建紧凑型嵌入式系统。对于需要现场升级固件的应用,其扇区保护和局部擦写功能可以显著提升系统可用性和维护便利性。同时,厂商提供的通用编程器和烧录工具链也使得量产阶段的编程流程更加高效可控。

替代型号

M29W800DB-70N6E
  S29GL064N90TFIR2
  M50FLW080ATPDTG TR

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M50FLW080AN5TG TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织1M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率33 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间250 ns
  • 电压 - 供电3V ~ 3.6V
  • 工作温度-20°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳40-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装40-TSOP