XPC8260AZUPIBB 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为需要高效率和低功耗的应用设计。它采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。该器件适用于多种电源管理应用,包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其封装形式适合表面贴装技术 (SMT),有助于实现小型化和高密度的电路设计。
该芯片的主要特点是能够在高频条件下保持高效能,并提供出色的热性能表现,使其在高电流应用场景中表现出色。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):45A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
栅极电荷(Qg):49nC
开关时间:典型值ton=17ns, toff=15ns
工作温度范围(Ta):-55℃至+175℃
XPC8260AZUPIBB 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗。
2. 高速开关能力,支持高频应用。
3. 优化的栅极电荷设计,有助于减少开关损耗。
4. 提供卓越的热稳定性,确保在高温环境下长期可靠运行。
5. 支持大电流操作,适用于工业和汽车领域中的高功率应用。
6. 小型封装,易于集成到紧凑型设计中。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级转换。
2. 各种类型的 DC-DC 转换器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 汽车电子系统,例如启动电机和电池管理系统。
5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
6. 可再生能源系统中的功率调节模块。
XPC8261BZUPICB, XPC8262CZUPIDB