XPC823ZT66B2 时间：2025/5/30 23:12:00 阅读：8

XPC823ZT66B2是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。其封装形式为TO-252(DPAK)，能够提供出色的散热性能以满足大电流应用需求。
　　这款功率MOSFET具备增强型结构，支持逻辑电平驱动，使得其能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，从而非常适合便携式设备和其他低压系统中的高效能转换电路。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压Vds：40V
　　最大栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id：17A（在25°C）
　　导通电阻Rds(on)：6.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷Qg：32nC
　　总电容Ciss：2250pF
　　功耗Pd：120W（在指定散热条件下）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

XPC823ZT66B2的主要特点是其低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。同时，它具有非常快的开关速度，可以降低开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，该器件支持逻辑电平驱动，使它能够直接与标准CMOS或LSTTL输出接口配合使用，无需额外的驱动电路。它的封装形式也保证了良好的散热性能，从而增强了可靠性。
　　由于采用了先进的屏蔽栅极技术，XPC823ZT66B2还表现出优异的抗雪崩能力和热稳定性，这些特性使其成为工业和汽车领域中高要求应用的理想选择。

应用

XPC823ZT66B2广泛用于各种需要高效功率转换的应用场景，包括但不限于：
　　- 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
　　- DC-DC转换器的主开关或同步整流开关
　　- 电池保护和充电管理电路
　　- 电机驱动和逆变器模块
　　- 各种负载开关和保护电路
　　其低导通电阻和高效率特点使其特别适合于笔记本电脑适配器、服务器电源以及电动工具等产品中。