时间：2025/7/21 20:51:37
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XPC755BRX400LE 是由 IXYS 公司制造的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：400V
最大漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：0.055Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：140nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-263（表面贴装）
XPC755BRX400LE 具备多项优越特性，使其在高功率电子系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作时减少功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的高耐压能力（Vds=400V）允许其在高压环境中稳定运行，适用于各种电源转换应用。
此外，该MOSFET采用TO-263表面贴装封装，具有良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和耐用性。该封装还支持自动化装配，适合大规模生产。XPC755BRX400LE 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，提高了整体系统的响应速度。
在栅极驱动方面，其栅极电荷（Qg）为140nC，表明其在开关过程中所需的驱动能量较低，从而减少了驱动电路的设计复杂性。该器件的工作温度范围从-55°C到150°C，适应各种恶劣工作环境，保证在极端温度下的稳定性。
XPC755BRX400LE 主要用于需要高效功率管理的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，它能够有效降低导通损耗，提高转换效率。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，确保系统稳定输出所需电压。
此外，它也适用于电机驱动和控制电路，提供高电流输出能力并减少发热。在工业自动化系统中，如伺服驱动器和变频器，该器件可以作为主开关元件，实现高效的能量传输。
音频功率放大器设计中，XPC755BRX400LE 可用于D类放大器的输出级，提供高保真音频输出并降低功耗。同时，它也可用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电动汽车充电系统等高功率电子设备中。
IXFN78N40T, FCP400N75A, STF75N40
