XPC755BRX400LE 是由 IXYS 公司制造的一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):400V
最大漏极电流(Id):75A
导通电阻(Rds(on)):0.055Ω(最大)
栅极电荷(Qg):140nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-263(表面贴装)
XPC755BRX400LE 具备多项优越特性,使其在高功率电子系统中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保在高电流工作时减少功率损耗,提高系统效率。其次,该器件的高耐压能力(Vds=400V)允许其在高压环境中稳定运行,适用于各种电源转换应用。
此外,该MOSFET采用TO-263表面贴装封装,具有良好的散热性能,有助于提高器件的可靠性和耐用性。该封装还支持自动化装配,适合大规模生产。XPC755BRX400LE 还具备快速开关特性,降低了开关损耗,提高了整体系统的响应速度。
在栅极驱动方面,其栅极电荷(Qg)为140nC,表明其在开关过程中所需的驱动能量较低,从而减少了驱动电路的设计复杂性。该器件的工作温度范围从-55°C到150°C,适应各种恶劣工作环境,保证在极端温度下的稳定性。
XPC755BRX400LE 主要用于需要高效功率管理的场合。例如,在开关电源(SMPS)中,它能够有效降低导通损耗,提高转换效率。在DC-DC转换器中,该MOSFET可用于升压(Boost)或降压(Buck)电路,确保系统稳定输出所需电压。
此外,它也适用于电机驱动和控制电路,提供高电流输出能力并减少发热。在工业自动化系统中,如伺服驱动器和变频器,该器件可以作为主开关元件,实现高效的能量传输。
音频功率放大器设计中,XPC755BRX400LE 可用于D类放大器的输出级,提供高保真音频输出并降低功耗。同时,它也可用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电动汽车充电系统等高功率电子设备中。
IXFN78N40T, FCP400N75A, STF75N40