制造商: NXP Semiconductors
　　产品类型: 射频功率晶体管
　　晶体管类型: N沟道 LDMOS
　　频率范围: 860MHz - 870MHz
　　输出功率: 最大125W（连续波）
　　增益: 典型值27dB
　　效率: 典型值65%
　　漏极电压: 50V
　　工作温度范围: -40°C 至 +150°C
　　封装类型: 塑料封装（SOT-1224）
　　阻抗匹配: 内部匹配至50Ω

XPC7455RX867PC 是一款高性能射频功率晶体管，基于LDMOS技术，专为在860MHz至870MHz频段内工作的应用而设计。该器件具备出色的功率输出能力和高增益特性，典型输出功率可达125W，增益为27dB。其高效率表现（通常为65%）使其在高功率应用中能够有效降低功耗并减少散热需求。此外，该晶体管内置50Ω输入阻抗匹配电路，简化了射频电路设计，减少了外围元件的需求。
　　该器件采用高可靠性的塑料封装（SOT-1224），具备良好的热稳定性和机械强度。工作温度范围宽广，从-40°C到+150°C，适用于各种工业环境。XPC7455RX867PC 的设计使其能够承受较高的VSWR（电压驻波比），从而提高了在失配条件下的稳定性和耐用性。NXP 还为其提供了详尽的数据手册和应用指南，便于工程师进行射频功率放大器的设计和优化。

XPC7455RX867PC 主要应用于需要高功率射频放大的场合，例如：无线通信基站、广播发射器、射频测试设备、工业加热设备、医疗射频设备以及各种ISM频段的无线传输系统。由于其高增益和高效率的特性，它非常适合用于要求高可靠性和高稳定性的通信基础设施中。该器件也常用于UHF频段的功率放大模块设计，支持数字和模拟信号的放大需求。

BLF881A, MRF151G, AFT05MS004N