XPC7451RX700RE 时间：2025/9/3 15:59:54 阅读：9

XPC7451RX700RE 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款射频功率晶体管，基于硅双极性技术设计，专为高频功率放大应用而优化。该器件适用于各种无线通信基础设施，如基站、广播设备以及工业应用。XPC7451RX700RE 采用先进的封装技术，提供良好的散热性能和高可靠性。它工作在VHF/UHF频段，能够提供高线性度和高效率，适合于需要高稳定性和性能的射频功率放大系统。

参数

类型: NPN射频功率晶体管
　　技术: 硅双极性
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）: 30V
　　最大集电极电流（IC）: 1.5A
　　最大耗散功率（PD）: 30W
　　频率范围: 100MHz - 1GHz
　　输出功率（典型值）: 10W @ 900MHz
　　增益（典型值）: 10dB @ 900MHz
　　封装类型: TO-220AB

特性

XPC7451RX700RE 射频功率晶体管具有多项出色的性能特点。首先，其高频响应能力使其适用于广泛的VHF和UHF频段应用，如移动通信基站、广播放大器等。其次，该器件在900MHz频率下可提供高达10W的输出功率，并具有约10dB的功率增益，确保了信号放大的高效率。此外，XPC7451RX700RE采用了高热导率封装技术，使晶体管在高功率工作状态下仍能保持较低的温度，从而提高可靠性和寿命。其硅双极性工艺提供了良好的线性性能，适用于对信号失真要求严格的通信系统。同时，该器件具备较高的输入阻抗，便于与前级电路匹配，降低设计复杂度。最后，TO-220AB封装形式便于安装和散热管理，适用于多种标准电路布局和散热方案。

应用

XPC7451RX700RE 主要用于需要中等功率放大的射频系统中。典型应用包括移动通信基站、无线接入网络（RAN）设备、工业和医疗射频设备、广播发射机以及各类测试与测量仪器中的功率放大级。其高线性度和高效率特性使其特别适合用于CDMA、WCDMA、GSM等无线通信标准下的信号放大，能够满足现代通信系统对于低失真和高能效的严格要求。此外，该晶体管也可用于射频加热、等离子体生成和工业传感器等应用领域。