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XPC7451RX700CE 发布时间 时间:2025/9/3 15:03:13 查看 阅读:5

XPC7451RX700CE 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)推出的高性能射频功率晶体管,采用LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术制造。该器件专为高功率射频放大应用而设计,适用于工业、科学和医疗(ISM)频段、广播系统、通信基础设施以及测试设备等高要求的应用场景。XPC7451RX700CE 提供了卓越的线性度和高效率,适合在高频率下工作,并能够在苛刻的环境中保持稳定性能。

参数

制造商:NXP Semiconductors
  类型:射频功率晶体管(LDMOS)
  工作频率:最大可达1.5GHz
  输出功率:51W(典型值)
  漏极电压(Vds):65V
  工作温度范围:-65°C至+150°C
  封装类型:RX700C(双列直插式陶瓷封装)
  输入阻抗:50Ω(标准)
  增益:约20dB(典型值)
  效率:超过60%(典型)

特性

XPC7451RX700CE 射频功率晶体管具有多项卓越的性能特点,使其在射频功率放大器设计中具有广泛应用。
  首先,该器件采用先进的LDMOS技术,具有高效率和高线性度的特点,这使其在多载波和高数据速率应用中表现优异,能够有效降低功耗并提高系统性能。
  其次,XPC7451RX700CE 在高达1.5GHz的频率范围内工作,适合多种射频应用,包括UHF广播、工业加热、等离子体发生器和医疗设备等。其宽频带特性也使其适用于多种频率配置,提高了设计的灵活性。
  此外,该器件的输出功率可达51W,适用于需要中等功率放大的应用。在高功率输出下,它仍能保持良好的稳定性和较低的失真,确保信号传输的高质量。
  封装方面,XPC7451RX700CE 采用RX700C陶瓷双列直插式封装,具有良好的热稳定性和机械强度,能够有效散热,确保在长时间高功率运行下的可靠性。
  最后,该晶体管的工作温度范围广泛,从-65°C到+150°C,能够在极端环境条件下稳定工作,适用于各种工业和通信设备。

应用

XPC7451RX700CE 主要用于需要高功率射频放大的多种应用场景。
  在广播领域,该晶体管常用于UHF电视和FM广播发射机的中功率放大器部分,能够提供高线性和高稳定性,确保信号传输的质量和覆盖范围。
  在通信基础设施方面,该器件适用于无线基站、中继器和测试设备中的射频放大器设计,尤其是在多载波通信系统中表现优异,能够支持更高的数据传输速率和频谱效率。
  工业应用中,XPC7451RX700CE 可用于高频加热、等离子体处理和射频驱动的工业设备,其高效率和稳定性能有助于提升设备的能效和使用寿命。
  此外,在医疗设备中,如射频消融设备和高频治疗仪,该晶体管也可作为功率放大器的核心组件,确保输出功率的精确控制和系统的安全性。
  对于科研和测试设备,如频谱分析仪、信号发生器和功率放大器模块,XPC7451RX700CE 也能提供可靠的性能支持。

替代型号

MRF6VP2050N, AFT05MS004N, NXP BLF7451

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