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XP152A11E5MR-G 发布时间 时间:2025/6/11 21:11:12 查看 阅读:9

XP152A11E5MR-G 是一款高性能的贴片式多层陶瓷电容器 (MLCC),适用于高频电路和信号滤波等场景。该型号属于 X7R 介质材料系列,具有良好的温度稳定性和高容量特性,适合用于电源管理、射频模块以及其他对性能要求较高的电子设备中。
  XP152A11E5MR-G 的封装形式为 0603 英寸(约 1.6mm x 0.8mm),符合 RoHS 标准,并支持表面贴装技术(SMT),便于大规模自动化生产。

参数

容量:11pF
  额定电压:50V
  容差:±5%
  介质材料:X7R
  封装尺寸:0603英寸
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  ESR:≤0.1Ω
  DF(损耗因子):≤2%
  绝缘电阻:≥10GΩ

特性

XP152A11E5MR-G 具备以下显著特点:
  1. 高稳定性:采用 X7R 介质材料,能够在宽温度范围内保持稳定的电容量。
  2. 小型化设计:0603 封装使其非常适合空间受限的应用环境。
  3. 高可靠性:通过严格的测试流程,确保其在恶劣条件下仍能正常工作。
  4. 低 ESR 和低 ESL:优化了高频性能,减少了信号干扰。
  5. 环保合规:符合 RoHS 和 REACH 标准,满足全球环保法规要求。

应用

XP152A11E5MR-G 主要应用于以下领域:
  1. 滤波电路:用于音频、视频以及射频信号的滤波处理。
  2. 耦合与去耦:在电源管理和信号传输中提供稳定的电能供应。
  3. 振荡电路:作为振荡器的一部分,生成精确的时钟信号。
  4. 高频通信设备:包括无线模块、蓝牙设备及 GPS 接收器等。
  5. 工业控制:用于精密仪器仪表和自动化控制系统中的信号调理部分。

替代型号

XP152A11E5MR-A, C0603C110J5GACTU, GRM152B30J110JR01

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XP152A11E5MR-G参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.81139卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)700mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)250 毫欧 @ 400mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)160 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3