XP132A1275SR 是一款基于硅技术设计的 NPN 型高频晶体管,广泛应用于射频 (RF) 放大和开关电路。该晶体管具有较高的增益带宽积 (fT),能够在高频条件下提供稳定的性能。
其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,适合高密度 PCB 设计需求,同时具备低噪声、高线性度的特点,非常适合无线通信、信号处理和其他高频电子应用领域。
集电极-发射极电压(Vce):30V
集电极电流(Ic):200mA
直流电流增益(hFE):100
特征频率(fT):2GHz
最大功耗(Ptot):340mW
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
XP132A1275SR 拥有以下显著特点:
1. 高频性能优越,特征频率高达 2GHz,适用于多种高频应用场景。
2. 使用 SOT-23 封装,体积小巧且易于集成到现代紧凑型设计中。
3. 提供了较低的噪声系数,在射频前端电路中有良好表现。
4. 工作温度范围宽广,适应极端环境条件下的运行需求。
5. 稳定性好,直流电流增益 hFE 在不同工作条件下保持一致性。
6. 可靠性高,符合工业标准,适用于长时间连续工作的设备。
XP132A1275SR 的典型应用包括:
1. 射频放大器,如低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器。
2. 高速开关电路,用于数字逻辑或脉冲信号传输。
3. 无线通信模块中的信号调制与解调部分。
4. 高频滤波器和混频器电路。
5. 医疗设备、测试测量仪器等需要高性能射频元件的场景。
XP132A1270SR, XP132A1280SR