时间：2025/9/14 20:20:05
阅读：5
PHB27NQ10T,118 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET场效应晶体管，广泛应用于电源管理和功率转换系统。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和工业控制设备等应用场景。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），具有良好的散热性能和机械强度。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：180A
连续漏极电流（Id）@100°C：110A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：2.7mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：4.0mΩ
功率耗散（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PHB27NQ10T,118 具备多项优异特性，适用于高功率和高效率的电子系统。其核心优势包括极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅2.7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率；即使在Vgs=4.5V驱动条件下，Rds(on)也仅4.0mΩ，适合低电压驱动电路。该器件可承受高达180A的连续漏极电流（在25°C下），在高温环境下（100°C）仍可保持110A的稳定输出，满足高负载需求。
采用LFPAK56封装，具有优异的散热性能和机械可靠性，适用于需要高可靠性的汽车电子和工业设备应用。该封装设计还支持PCB贴装工艺，提高生产效率并降低制造成本。此外，PHB27NQ10T,118 内置快速恢复体二极管，具有良好的抗冲击能力和抗静电性能，确保在复杂电磁环境下稳定运行。其工作温度范围宽至-55°C ~ 175°C，适应各种极端工作环境，如汽车引擎控制、电动工具、电源适配器等应用场景。
PHB27NQ10T,118 主要用于高性能功率电子系统，典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电源管理系统、电池充电器、电机驱动器、服务器电源、工业自动化设备以及汽车电子系统等。该器件特别适用于需要高效率、高可靠性及紧凑型设计的电源模块，如电动汽车（EV）充电系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS）和工业变频器等领域。其低导通电阻和高电流能力使其在高频开关应用中表现出色，有效降低开关损耗并提升系统效率。
SiHH27NQ10TY, Infineon IPW60R028C7, STMicroelectronics STP180N10F7AG, ON Semiconductor FDP180N10A, Toshiba TPC8107
