RF2713TR7是一款高性能的射频功率晶体管,专为无线通信和射频功率放大应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有高增益、高效率和高线性度的特点,适合在高频段进行信号放大的场景。
该晶体管适用于LDMOS技术,能够在较宽的频率范围内提供稳定的性能表现,同时具备良好的散热特性和可靠性,可满足基站、无线电设备以及其他射频系统的需求。
最大功率:50W
工作频率范围:1.8GHz 至 2.2GHz
增益:14dB
效率:60%
电源电压:28V
封装形式:TO-263
RF2713TR7采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术制造,能够有效减少寄生电容的影响,从而提升高频性能。此外,该器件还具有出色的线性度和稳定性,在宽带和窄带应用中均表现出色。
它内置了保护电路,可以防止过压、过热以及负载失配等问题对器件造成损害。同时,其低噪声系数和高动态范围也使其成为许多关键射频应用的理想选择。
RF2713TR7支持表面贴装封装,简化了安装流程并提高了系统的可靠性和紧凑性。由于其高效的功率转换能力和较低的功耗,这款晶体管非常适合长时间运行的应用环境。
RF2713TR7主要应用于蜂窝基站、中继器、无线电通信设备、测试与测量仪器等需要高效射频功率放大的场合。
此外,它还可以用于卫星通信系统中的上变频和下变频模块,或者作为雷达系统的组件之一。由于其优异的稳定性和抗干扰能力,该器件也非常适合复杂的多载波环境。
RF2714TR7, RF3613TR7