XN1202DP 时间：2025/9/13 6:29:12 阅读：12

XN1202DP 是一款由 XINGGUANG（星光）公司生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该器件广泛应用于低频放大电路、开关电路以及功率控制等电子系统中。XN1202DP 的设计目标是在中功率应用中提供良好的电流放大性能和热稳定性，适用于工业控制、电源管理、电机驱动等场景。该晶体管具有较高的电流承载能力和良好的热阻特性，适合在需要较高可靠性的环境中使用。

参数

类型：NPN 型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：1.5A
　　最大功耗（PD）：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　电流增益（hFE）：在 IC = 2mA, VCE = 5V 时为 110 ~ 800（具体分档）
　　频率响应（fT）：100MHz

特性

XN1202DP 晶体管具有多个关键特性，使其在中功率应用中表现出色。首先，其最大集电极电流可达 1.5A，能够驱动较大负载，适用于中等功率的开关和放大电路。其次，VCEO 为 30V，使得该晶体管可以在较宽的电压范围内稳定工作。此外，XN1202DP 的 hFE 值范围较大（110 ~ 800），提供了灵活的电流放大能力，可根据不同应用需求选择合适增益等级的器件。
　　该晶体管的热稳定性良好，能够在高温环境下正常运行，最大工作温度可达 +150°C，适合工业级应用。封装方面，XN1202DP 通常采用 TO-126 或类似的塑料封装形式，具备良好的散热性能，便于安装和散热片连接。
　　另外，XN1202DP 的频率响应达到 100MHz，使其在音频放大、低频信号处理等应用中具有良好的性能表现。其低饱和压降（VCE(sat)）也使得在开关应用中损耗更低，提高整体系统效率。

应用

XN1202DP 主要应用于以下领域：首先，在工业控制系统中，作为开关晶体管用于控制继电器、电磁阀、小型电机等执行器。其次，该晶体管可用于电源管理电路，例如 DC-DC 转换器、稳压电路中的功率开关元件。此外，在音频放大器中，XN1202DP 可作为前置放大或驱动级使用，提供良好的信号放大性能。
　　在电机控制、LED 驱动、传感器信号调理等应用中，XN1202DP 也常被使用。由于其良好的电流承载能力和热稳定性，该器件也适用于需要长时间运行的嵌入式系统和自动化设备中。